IGBT的去饱和与退饱和----LD33153应用参考

LD33153（替代MC33153）是专为IGBT驱动器设计的，用于包括交流感应电机控制、无刷直流电机控制和不间断电源（UPS）的大功率应用。

IGBT正常工作时是饱和，退饱和就是退出饱和区。IGBT发生桥臂直通短路后，Ic快速上升，上升到一定的数值后不再增加（跟芯片类型和Vge有关，Vge=15V时，一般为4倍），然后Vce快速上升，这就是退出饱和区进入线性区，这个时候的损耗很大。

去饱和：短路时，当电流上升到4-6倍的额定电流时(这时候CE之间的电压是缓慢上升的，到去饱和点为10V左右)，这时IGBT上的电压会突然上升，而电流会维持不变(4倍左右）。去饱和时间是从电压上升到电源电压开始算的。

集成的退饱和功能提供了所有的过流保护模式，包括接地、穿通和相间短路保护。